鍍膜的時候提高基片溫度有利于將吸附在基片表面的剩余氣體分子排除，增加基片與沉積分子之間的結(jié)合力；同時會促使物理吸附向化學(xué)吸附轉(zhuǎn)換，增強(qiáng)分子之間相互作用，使濾光片膜層結(jié)構(gòu)緊密。例如，MεF2膜，基片加熱到250~300℃可減小內(nèi)應(yīng)力，提高聚集密度，增加濾光片膜層硬度；基片加熱到120~150℃制備的ZAO2-SiO2多層膜，其機(jī)械強(qiáng)度提高了許多，但基片溫度過高會造成濾光片膜層變質(zhì)。